안녕하세요 교수님.

Display 회사에서 근무중인 김민철입니다.

제가 질문드리고자 하는 내용은 a-Si표면에 N2 Blowing Ionizer 사용 시 어떤 반응이 생기는지에 대해 궁금증이 있어 문의드립니다.

Display 공정 중 Excimer laser annealing 전에 Ionizer를 진행 하는데 이때 정전기 제거가 아닌 다른 영향을 줄 수 있는가에 대해 연구중입니다.

아래 다른 게시글을 참조해보니 N2 Ionizer 사용 시  N2가 분해되어 (+)이온이된다고 하셨는데 이러한 이온이나  N, O, electron 등이  a-Si 표면에 있는 Si의 dangling bond와 결합을 할수있는 지가 궁금 합니다.

이를 통해 후공정으로 진행하는 Excimer laser annealing을 진행할 때, Si의 결정화에 영향을 미칠지가 궁금합니다.

만약 영향을 줄 수 있다면 Si의 어떤 결합이 생기고 반도체의 성질에 어떤 영향이 있을지요 (ex) 불순물로 인한 Doping 장벽 역활 등등...

논문이나 자료를 찾기위해 플라즈마와 관련하여 검색중에 교수님 이름이 많아 조언 부탁드리게 되었습니다.

바쁘실테지만 상기 내용에 대해서 조언 부탁드립니다.

감사합니다.

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