안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77203
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57360
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68899
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
566 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1099
565 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1108
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1115
563 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1121
562 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1142
» 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1147
560 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1147
559 자기 거울에 관하여 1149
558 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1149
557 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1153
556 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1156
555 wafer bias [1] 1157
554 Group Delay 문의드립니다. [1] 1160
553 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1168
552 공정플라즈마 [1] 1170
551 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1172
550 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1172
549 전자 온도 구하기 [1] file 1177
548 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1177
547 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1180

Boards


XE Login