Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.
2019.04.11 13:18
안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.
쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.
쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.
제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.
왜 그런지 알 수 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1146 |
» | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
547 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1156 |
546 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
545 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1157 |
544 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1164 |
543 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1169 |
542 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1174 |
541 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1177 |
540 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1179 |
539 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
538 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1192 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1220 |
536 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
535 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1227 |
534 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1237 |
533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1241 |
532 | 플라즈마 챔버 [2] | 1243 |
531 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1244 |
530 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1270 |
플라즈마 공학을 공부하다 보면 기초 물리 현상을 소개하는 부분에서 소개된 ambipolar diffusion (양극성확산)을 공부해 보세요. 아울러 본 게시판에서 쉬스와 양극성 확산에 대해서 여러번 소개가 되어 있으니 참고가 될 것 입니다. 질문은 플라즈마가 갖는 거동 특성이라 생각하면 좋습니다.