안녕하세여

ETCH 공정 관련된 일을 하고 있습니다

임피던스 매칭에 대하여 공부를 하고 있는데

제너레이터의 임피던스와 챔버의 임피던스를 매칭 시켜 REFLECT POWER 가 발생하지 않도록 하는데

임피던스에는 실수부와 저항부가 있다고 알고 있습니다.

통상적으로 PLASMA 에서 사용하는 저항은 50 옴인데 제너레이터의 저항이 50옴 이라는 것인가요??

제너레이터의 저항도 임피던스라면 허수부가 존재할 것이라고 생각해서 50옴 + 허수부 저항도 있진 않을지 궁금합니다. 아니면 제너레이터의 저항은 coxial cable 의 저항만을 의미하는 것일까요?? 

또, 챔버에서 저항은 매쳐와 하나가 되어 변화될텐데 매쳐가 실수부 또한 변경 가능한지 궁금합니다.

챔버 내의 PARTS가 식각이 된다면 챔버의 R 값은 변화할텐데 매쳐의 TUNE, CAP 은 허수부의 REACTANCE 값만

변화시킨다고 알고 있습니다. 매쳐가 실수부 R 의 값을 변화시키지 못한다면 아무리 매쳐가 일을 한다하더라도 

챔버 내 PARTS들의 식각에 의해 임피던스가 틀어지고, REFLECT 가 뜨진 않을지 궁금합니다.

스미스차트상 capacitance 혹은 inducrance 를 변경하면 실수부도 변화가 되는 거 같아 보이는데

실수부도 같이 변화가 되는 걸까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [111] 4883
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16220
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51248
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63742
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83504
437 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1248
436 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1270
435 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1277
434 수방전 플라즈마 살균 관련...문의드립니다. [1] 1288
433 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1300
432 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] 1305
431 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1348
430 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 1357
429 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1361
428 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 1378
427 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1381
426 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1383
425 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1390
424 플라즈마 관련 기초지식 [1] 1393
423 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1398
422 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1405
421 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1428
420 질문있습니다. [1] 1432
» 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1442
418 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1445

Boards


XE Login