안녕하세여

ETCH 공정 관련된 일을 하고 있습니다

임피던스 매칭에 대하여 공부를 하고 있는데

제너레이터의 임피던스와 챔버의 임피던스를 매칭 시켜 REFLECT POWER 가 발생하지 않도록 하는데

임피던스에는 실수부와 저항부가 있다고 알고 있습니다.

통상적으로 PLASMA 에서 사용하는 저항은 50 옴인데 제너레이터의 저항이 50옴 이라는 것인가요??

제너레이터의 저항도 임피던스라면 허수부가 존재할 것이라고 생각해서 50옴 + 허수부 저항도 있진 않을지 궁금합니다. 아니면 제너레이터의 저항은 coxial cable 의 저항만을 의미하는 것일까요?? 

또, 챔버에서 저항은 매쳐와 하나가 되어 변화될텐데 매쳐가 실수부 또한 변경 가능한지 궁금합니다.

챔버 내의 PARTS가 식각이 된다면 챔버의 R 값은 변화할텐데 매쳐의 TUNE, CAP 은 허수부의 REACTANCE 값만

변화시킨다고 알고 있습니다. 매쳐가 실수부 R 의 값을 변화시키지 못한다면 아무리 매쳐가 일을 한다하더라도 

챔버 내 PARTS들의 식각에 의해 임피던스가 틀어지고, REFLECT 가 뜨진 않을지 궁금합니다.

스미스차트상 capacitance 혹은 inducrance 를 변경하면 실수부도 변화가 되는 거 같아 보이는데

실수부도 같이 변화가 되는 걸까요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
543 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1144
542 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1145
541 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1147
540 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1147
539 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159
538 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1173
537 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1176
536 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1194
535 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1205
534 플라즈마 챔버 [2] 1208
533 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1211
532 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
531 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1232
530 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1234
529 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1250
528 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1267
527 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1268
526 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1268
525 플라즈마 기초입니다 [1] 1279
524 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1287

Boards


XE Login