안녕하세요 현재 반도체 설비회사에서 일하고 있는 회사원입니다.

다름이 아니라 CVD 공정 설비에서 2단계 Deposition되며 3.5Torr -> 5.3Torr로 진행간 변경이 됩니다.

여기서 3.5Torr 진행시 특이사항은 없으나 5.3Torr Step으로 넘어가게 되면 Pressure가 불안정해 집니다.

그로인해 Load , Tune , AV Chucking Data 등 분석 결과 같이 변동되는 걸로 보아 Chamber 내 Impedance가 변하는 것으로 추정이 됩니다

압력외 큰 차이점은 없으며 박막등 어떠한 요소로 인해 Ch' impedance가 변할 수 있는것인지 이것이 Pressure에 영향을 줄수 있는 요소인지 알고싶습니다.

아무래도 Pressure는 Throttle Valve의 영향이 큰데 왜 T/V 가 Load Tune과 같이 움직이는지 모르겠습니다.

아직 많이 부족하지만 도움 받고자 글 남깁니다

감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77275
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20485
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68922
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92970
568 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1100
567 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1105
566 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1112
565 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1112
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1124
563 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1141
562 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1147
561 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1148
560 자기 거울에 관하여 1152
559 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1154
558 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1154
557 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1156
556 Group Delay 문의드립니다. [1] 1161
555 wafer bias [1] 1162
554 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1172
553 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1175
552 공정플라즈마 [1] 1175
551 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1175
550 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1180
549 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1180

Boards


XE Login