안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102670
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24669
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61378
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73450
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105766
593 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다. [VI Phase] [1] 1314
592 고전압 방전 전기장 내 측정 [전극과 탐침과의 간격] [1] file 1315
591 plasma 공정 중 색변화 [플라즈마 진단과 분광학] [1] 1316
590 Collisional mean free path 문의… [MFP와 평균값 개념] [1] 1330
589 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1331
588 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1338
587 진학으로 고민이 있습니다. [복수전공] [2] 1340
586 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1357
585 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [Langmuir probe와 ground] [1] file 1358
584 Shield 및 housing은 ground와 floating중 어떤게 더 좋은지요 [장비 ground] [2] 1365
583 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [Ground와 Clamp] [1] 1368
582 CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion] [1] file 1385
581 RF 주파수에 따른 차이점 [이온 및 전자 주파수 선택] [1] 1390
580 Plasma Arching [Plasma property] [1] 1402
579 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [Ambipolar diffusion] [1] 1405
578 Decoupled Plasma 관련 질문입니다.[플라즈마 내 입자의 거동] [1] 1405
577 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정] [1] 1407
576 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [Global model과 Balance equation] [1] 1407
575 Group Delay 문의드립니다. [마이크로파] [1] 1409
574 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1413

Boards


XE Login