안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76843
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20252
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68744
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92602
536 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. 13205
535 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] 13062
534 반응기의 면적에 대한 질문 12812
533 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 12765
532 ICP와 CCP의 차이 [3] 12510
531 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. 12363
530 플라즈마 살균 방식 [2] 11470
529 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11460
528 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11416
527 DC bias (Self bias) [3] 11280
526 RGA에 대해서 10549
525 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10398
524 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10381
523 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] 10367
522 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10312
521 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 9999
520 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9866
519 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. 9844
518 수중 방전 관련 질문입니다. [1] 9671
517 대기압 플라즈마에 대해서 9639

Boards


XE Login