안녕하세요,

반도체 회사에서 CVD 장비 업무를 맡고 있는 이윤재입니다.

업무 중 CCP Type Chamber에 Warpage 심화 Wafer가 투입되었을 때,

Impedance I 가 Drop 되는 현상이 있었습니다.

이 때 이 원인을 파악하려고 하는데, 논문이나 과거 자료를 봐도 나오지가 않아서

질문을 드립니다..

Q. Warpage 심화 Wafer가 상대적으로 Flat한 Wafer 보다 Impedance Drop이 되는 원인은,

   Edge 쪽 ( Wafer와 Heater가 Contact 되지 않음) 이 문제가 되는 것으로 추정되는데

  정확한 원인이 무엇인지 궁금합니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [272] 76806
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20240
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57185
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68736
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92560
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1248
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2392
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1916
529 질문있습니다 교수님 [1] 22142
528 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1740
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 450
526 remote plasma 데미지 질문 [1] 14473
525 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1918
» Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1309
523 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6620
522 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1169
521 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1240
520 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3941
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2249
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 17681
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1065
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3704
515 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 587
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10380
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 800

Boards


XE Login