Matcher Impedence 위상관련 문의..
2017.06.30 04:39
안녕하세요. 전에도 몇번 질문드렸었습니다만,, 반도체 관련회사에서 근무하고 있습니다.
RF (ICP)장비를 다루고 있는데 impedence 위상관련해서 문의 좀 드리려고 합니다.
impedence 매칭은 저항과 위상으로 조정하데..
공정 parameter (Ar pressure , AC power 등)의 변화로 위상이 변화할수 있을까요?
변화된다면 어떤 이유로 변화되는지 조금 자세하게 설명을 듣고 싶습니다..
그리고 정말 죄송한데 smith chart program 을 사용하고 싶은데..도움 받을 site가 있을까요?
검색해서 찾아봐도 알수 없는 site로 이동이 되서...찾기가 어렵습니다만..
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92291 |
529 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13202 |
528 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13056 |
527 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12809 |
526 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12759 |
525 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12489 |
524 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12356 |
523 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11450 |
522 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11420 |
521 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11332 |
520 | DC bias (Self bias) [3] | 11263 |
519 | RGA에 대해서 | 10543 |
518 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10379 |
517 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10355 |
516 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10355 |
515 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10300 |
514 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 9966 |
513 | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9849 |
512 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9843 |
511 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9666 |
510 | 대기압 플라즈마에 대해서 | 9636 |
우리가 하나의 회로로 플라즈마를 놓는다면 capacitance (쉬스), diode (이온 전류), 및 저항 ( 총돌에 의한 에너지 전달: Ohmic heating 과 Stochastic heating) 값, 그리고 inductance (충돌로 인한 플라즈마 전류 위상차이)로 표현이 가능할 것입니다. 이를 종합해서 플라즈마 임피던스라 하고, 특히 RF 에 영향을 미치는 cap/inductance 항이 플라즈마 밀도와 온도 그리고, 충돌 함수이므로, 운전 전력과 압력에 따라서 matching position 이 바뀔 수 밖에 없겠습니다. 때로 연구자들은 회로 모델이라 부르는 해석 방법을 연구하기 합니다.