안녕하세요 저는 반도체관련 업체에서 일하고 있는 최철운입니다.

ESC쪽을 공부하면서 Plasma Dechuck process가 궁금해졌는데요.

J-R TYPE ESC 같은 경우 일반적으로  ESC쪽의 Voltage를 끈 후 wafer의 잔여 전하를 Plasma를 이용해 dechuck을 한다고하는데 이는 어떤 process로 행해지는 지 궁금합니다. 체 추측으로는 plasma들이 wafer를 때리면서 중성화를 시켜 dechuck을 시킨다고 생각이 되는데 맞는지요?


또한 궁금한게 Columb Force방식의 ESC는 voltage를 끌시 잔여 전하가 남지 않기때문에 바로 Dechuck이 되며 plasma를 킬필요가 없다고하는데 Plasma dechuck을 사용하여 particle 개선 효과가 있는지 궁금합니다.

 Plasma Dechuck을 사용할시 챔버 내의  잔류 가스들을 가두고 wafer표면에 떨어지게 막으면서 pump쪽으로 흐르게하는 것인가요? 어떤 원리로 particle 제거 효과가 있는지... 궁금합니다.


감사합니다~

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20846
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
559 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] 16710
558 알고싶습니다 [1] 1520
557 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2416
556 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 1046
555 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 800
554 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2907
553 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1473
552 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2532
551 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 739
550 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1646
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4771
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1181
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10420
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2651
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 943
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3973
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 535
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2404
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 2043
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3962

Boards


XE Login