안녕하십니까 교수님


공정 실습 중 Dechucking 이슈에 대해 궁금증이 있어 이렇게 글을 남깁니다.

제가 확인한 이슈는 dechucking 이후 핀업 진행 시 웨이퍼가 슬라이딩 하는 문제였는데, 해당 이슈에 대해 config값을 (0->5)변경하여 He flow가 되도록 조치했다는 것을 알았습니다.

chucking 과정중 He의 역할이 온도를 낮추는 역할 정도로 알고 있는데, He 가스가 chucking에서 어떤 역할들을 하는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77021
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20349
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57272
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68817
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92817
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1867
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3807
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11498
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1396
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2460
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 440
» Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1100
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3278
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6456
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1257
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2410
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1940
529 질문있습니다 교수님 [1] 22194
528 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1759
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 451
526 remote plasma 데미지 질문 [1] 14491
525 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1946
524 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1338
523 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6745
522 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1179

Boards


XE Login