안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.

전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.

조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)

현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm)  Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오  면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)

질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만

          왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77250
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20471
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57380
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68906
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92958
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2568
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 909
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3878
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 502
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2338
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1933
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3873
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11512
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1410
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2506
» H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 443
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1110
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3327
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6472
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1263
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2433
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1959
529 질문있습니다 교수님 [1] 22223
528 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1782
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 456

Boards


XE Login