Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76871 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1226 |
536 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1244 |
535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1246 |
534 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1253 |
533 | 플라즈마 챔버 [2] | 1257 |
532 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1259 |
531 | ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] | 1277 |
530 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1281 |
529 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1282 |
528 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1290 |
527 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1302 |
526 | [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] | 1304 |
525 | 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] | 1321 |
524 | I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 1325 |
523 | Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] | 1325 |
522 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1332 |
521 | CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] | 1335 |
520 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1345 |
519 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1355 |
518 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1355 |
metal 쪽 식각 공정에서 표면 화학 반응에 대해서는 성균관대학교 염근영교수님 연구실을 추천합니다.
먼저 플라즈마 생성 관점에서 보면 SF6 플라즈는 음이온 생성으로 플라즈마 생성이 어려운데, Ar 등은 Ar* (여기 아르곤)형성으로 플라즈마 만들기가 수월합니다. 반면 N2 는 N 과 N으로 나누어지고 이온화가 이뤄지는 반응이 커서 플라즈마 생성에 에너지가 많이 들어갑니다.
따라서 플라즈마 생성 관점에는 Ar 사용이 좋겠고, 표면에서 반응은 Ar이 질량이 커서 sputtering etching 효과도 N 보다 나을 것 같습니다. 여기서 한가지 더 생각할 점은 Ar은 W과 결합하지 않습니다. 불활성 가스이지요. 하지만 N는 W-N 박막을 만들 수 있고, 이는 film 형성으로 식각률이 떨어질 수 있겠습니다.