Deposition [CVD] 막 증착 관련 질문입니다.
2019.01.23 13:10
안녕하세요.
CVD공정쪽에서 일하고 있는 엔지니어 반형진입니다.
a-Si 증착 시 Vdc값이 증착된 막 내의 수소량에 어떻게
영향을 미치는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다.
댓글 4
-
김곤호
2019.01.24 12:30
-
시비디
2019.01.24 12:55
감사합니다 큰 도움이 됐습니다.
-
시비디
2019.01.24 13:05
한 가지만 더 여쭙겠습니다.
시편의 온도가 올라가서 수소가 깊게 침투할 수 있다는 부분에서
온도가 상승하는 것과 어떤 상관있는지 조금 더 설명해주시면 안 될까요 ^^;;
그리고 혹시 수소가 깊게 침투한다는 걸
Vdc 값이 높아질수록 증착막 내의 수소량이 많아진다고 이해해도 될까요??
-
강성국
2019.01.24 13:50
안녕하세요. 삼성디스플레이 연구소 소속 강성국이라고 합니다.
본 답변 내용 중 조금 이해가 되지않는 부분이 있어, 댓글로 여쭙습니다.
" ...Vdc는 타킷 표면의 전위를 의미하며, 이는 쉬스 전위=플라즈마 전위-표면 전위, 이니 대부분 공정되어 있는 플라즈마전위를 기준으로 Vdc 가 커지면 (음의 값입니다) 쉬스 전위가 커지고..."
이 부분 중 Vdc가 커진다는 의미는 -값으로 더 내려간다는 의미인가요, 아니면 말 그대로 +방향으로 더 커진다는 것 인가요?
이전 답변 내용이 많은 도움이 되었습니다.
번거로우시겠지만 상기 내용에도 도움을 주시면, 매우 감사하겠습니다^^
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
559 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1191 |
558 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1192 |
557 | wafer bias [1] | 1196 |
556 | 공정플라즈마 [1] | 1199 |
555 | 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] | 1203 |
554 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1205 |
553 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1205 |
552 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1211 |
551 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1220 |
550 | 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] | 1223 |
549 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1224 |
548 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1227 |
547 | 전자 온도 구하기 [1] | 1227 |
546 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1234 |
545 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1239 |
544 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1245 |
543 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1250 |
542 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1259 |
541 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1274 |
540 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1277 |
아마도 수소의 침투는 2가지 경로를 가질 것 같습니다. 한가지는 확산에 의한 것이고, 다른 하나는 쉬스에서 가속된 수소 이온의 침투일 것 입니다. 전자는 중성의 수소의 거동이고 후자는 수소 이온이며, Vdc는 타킷 표면의 전위를 의미하며, 이는 쉬스 전위=플라즈마 전위-표면 전위, 이니 대부분 공정되어 있는 플라즈마전위를 기준으로 Vdc 가 커지면 (음의 값입니다) 쉬스 전위가 커지고, 이는 이온이 보다 큰 에너지를 갖고 침투하게 되거나. 표면에서 대기중인 수소 입자들에게 에너지를 더 전달할 수 있습니다. 물론 타킷(시편)의 온도도 올라가서, 보다 많은 수소가 깊게 침투할 수 있겠습니다. 게시판에서 쉬스에 대한 설명을 참고해 보시면 이해에 도움이 될 것 같습니다.