안녕하세요. 현재 반도체장비 중 ETCH 장비를 유지보수하고있는 현업 엔지니어입니다.

현재 RF와 PLASMA에 관하여 공부를 진행하고 있고(뒤늦게나마..), 이를 배운것을 바탕으로 현장의 불합리를 개선하고자 합니다.

기초지식이 없어 무언가를 개선코자 할때 상사 및 유관부서의 설득을 시키는데 있어서 많은 어려움을 겪고 잇는데 해당 SITE의 계시물들의 내용을 보고 도움을 받고 있습니다.

현재 DECHUCK관련 부분에 대하여 불합리 부분을 개선 중에 있는데, 아에 쌩기초부터 다시 알아야겠다라는 생각이 있어 부끄럽지만
배워야 하겠다 생각이 들어 이렇게 질문을 올릴까 합니다.

현재 제가 담당하고 있는 ETCH 설비는 ESC를 사용하며 ESC는 J.R방식의 ESC로 저저항 ESC를 사용하고 있습니다.

DECHUCK간에 WAFER B.K 문제, WAFER SLADING 문제등 많은 문제가 있어 여러가지 개선사항이 들어간 상태인데요,

이 DECHUCK의 조건에 대해서 문의드릴 것이 있습니다.

     ETCH를 진행하는 두개의 RECIPE가 있습니다. (A,B)
     A는 DECHUCK 조건에서 오직 Ar Gas만 사용합니다.
     B는 DECHUCK 조건에서 5:5 비율로 N2, Ar Gas를 사용합니다.

  여기서 질문을 드립니다.

1. A, B 두 Recipe의 Dehcuck 조건 중 어느 조건이 더 좋은 조건일까요? (완전한 Dechuck이 되는데..)

2. Dechuck Plasma를 활성화 하는데 최적의 PRESSURE가 몇 mTorr인지 연구된 data가 있을까요?

3. 저희 설비에서 Dechuck 진행 후 Dechuck 조건의 Plasma가 켜진 상태에서 Wafer를 들어올리는 PIN(Sapphire 재질)이 살짝 들어올린 뒤에 완전히 PIN UP을 진행하는 Sequence로 짜져있습니다. 
Dechuck이 완전히 되지 않은상태라면, 그러한 상태에서 lift pin이 살짝 들어올릴때, 표면에 ARCING이 맞을 수 경우가 있을까요? 
만약 그럴 가능성이 없다면, 혹은  다른 사유로 인하여 ARCING이 맞을 수 있는 경우가 있을까요?

Plasma와 RF에 대해서 공부하기 위해 현재 전기 공부부터 차근차근 기초적으로 다시하는 중입니다.
좋은 책자나 참고서가 있으면 추천해주시면 정말 감사하겠습니다.