안녕하세요?

플라즈마를 공부하고 있는 학생입니다. 질문이 있어서 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

일반적으로 논문등을 살펴보게 되면 Ar fraction이 (예를들어 Ar(Cl2+Ar 혼합가스) 증가할 수록, Te(Electron Temperature)

값이 증가하는 경향이 나옵니다. (Ion Density 역시 증가합니다.)

실험을 하던 도중. Ar fraction이 증가할수록, Te값이 떨어지는 현상을 발견하였습니다.(하지만 Ion Density는 증가)

이를 어떻게 해석되어야 하는지 잘 모르겠습니다.

일반적으로라면 Ar이 이온화되면서 많은 gas reaction을 야기 하겠으나,

정형화된 data에 대하여 반대의 경향성이 나온 경우 어떻게 해석되어야 할까요?

 

추가적인 실험환경에 대한 설명을 덧붙여 드리자면,

(기존의 Chamber wall은 퀄츠 재질로 Ar fraction에 대하여 Te는 증가하였습니다. 하지만 Chamber를 Al 재질로 바꾼후

위와 같은현상이 발견되었습니다.)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2974
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 542
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1601
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1937
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11329
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2316
500 공정플라즈마 [1] 1145
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 550
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1689
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1507
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3383
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
493 질문있습니다. [1] 2572
492 chamber impedance [1] 2009
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3278
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2128

Boards


XE Login