PLASMA에 영향이 있는 ICP챔버의 경우에 대한 Parameter 해석관련 질문드립니다.

공식으로 알고 있는 이해보다 왜 그런지 쉬운 설명으로 메카니즘 해석 좀 부탁드리겠습니다.

제가 잘못알고 있거나 일부분만 알고 있는 내용일수 있는데 이점 양해 부탁드립니다.

책을 보았으나 혼동되는 부분이 있어 개념을 잡으려고 합니다..


* RF bias POWER는 전자밀도 와 비례 , ion flux 와 비례하는걸로 알고 있습니다.

1. electron density 와 비례한다면 ,,, ion density는 영향이 없는건가요?

2. 전자밀도가 높으면 쉬쓰 두께는 왜 줄어드나요?  

    충돌확률이 왜 전자밀도와 반비례인가요?  밀도가 높은데 충돌확률이 왜 떨어지는지 잘 모르겠습니다..

3. debye length 인/척력이 이온이나 전자의 가속과 관련이 있는건가요..?   

   입자의 속도는 밀도와 온도에만 관련있다고 알고 있는데 인/척력이 나오니 좀 헤깔리네요;;

4. ICP type에서 RF source power는 bias power 와 ion이나 전자 거동이 어떻게 다른지 궁금합니다.

    사실 제가 RF(source power 상단부) Reflect power 부분이 관심이 많습니다..

-  Bias voltages depend on gas  :  √Te/Kiz(Te) ~ d


  -  ω↑      n      sheath 두께 δsh      플라즈마 size d      전자온도 Te
     
  충돌확률 νm     Diffusion D      more symmetric      Vdc-bias      Vdc-sh


  -  δsh ∝ ω-1   ,    d (plasma width) = characteristic length - sheath width


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20077
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91696
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1879
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11079
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2258
500 공정플라즈마 [1] 1136
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2789
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 543
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1668
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1476
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3317
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1146
493 질문있습니다. [1] 2545
492 chamber impedance [1] 2003
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3189
490 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2092
489 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5021
488 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 1363
487 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 725
486 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6251
485 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1618
484 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1159

Boards


XE Login