DC glow discharge 플라즈마 관련 기초지식
2019.09.16 00:41
안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.
다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데
여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다
정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?
기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.
부탁드립니다!! 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76742 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20213 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68705 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92299 |
509 | ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] | 3646 |
508 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1030 |
507 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
506 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2975 |
505 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 544 |
504 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1603 |
503 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 1939 |
502 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11333 |
501 | Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] | 2316 |
500 | 공정플라즈마 [1] | 1147 |
499 | 임피던스 매칭회로 [1] | 2804 |
498 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 550 |
497 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1689 |
496 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1507 |
495 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 3384 |
494 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1159 |
493 | 질문있습니다. [1] | 2572 |
492 | chamber impedance [1] | 2009 |
491 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 3291 |
» | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2129 |