질문을 2가지 문제에서 해석이 가능할 것 같습니다.

1. ICP 와  CCP의 플라즈마 생성, 다른 말로 플라즈마 가열이라고 하며, 이는 전자가 외부 전력으로 부터 가속 (에너지)되는 얻는 과정으로 부터 해석을 해 보세요. 전자의 가속은 전기장을 따라서 가속되고 가속된 전자 (에너지 얻은 전자)가 가스 원자 및 분자와 충돌하면서 이온화/해리-이온화 충돌 반응을 통해서 플라즈마가 생성됩니다. 이떄 새롭게 만들어진 전자들은 공간 전기장에 다시 가속되면서 플라즈마 밀도는 높이게 합니다. (항상 생성-소멸은 함께 생각합니다. 대부분의 소멸은 벽으로 확산되는 입자들에 의해서 진행되고, 물론 공간 내에서 이온-전자가 결합하면서도 전자가 소멸되는 플라즈마 생성을 위한 seed 가 줄어 들고, 실제 손실도 일어나면서 플라즈마가 소멸하게 됩니다. 따라서 안정적으로 플라즈마를 만든다면 생성과 소멸이 균형을 맞추어야 하고, 생성시기에는 생성부가 강화되고 있다는 의미이며, 플라즈마가 꺼진다면 소멸이 더 큰 기전으로 작동하고 있다는 의미가 되며, 불안정하다면 두 기능이 서로 힘겨루기를 하고 있다는 의미가 됩니다) 

2. 플라즈마 손실을 판단하는데 플라즈마는 확산 현상을 반드시 고려해야 합니다. 자연스럽게 플라즈마가 가열되는 영역에서 플라즈마 밀도가 높을 것이고 낮은 곳으로 플라즈마가 자연스럽게 확산됩니다. (플라즈마에서는 전자와 이온이 함께 이동하는 양극성 확산 (ambipolar diffusion-본 계시판 내용 참조)로 플라즈마가 전체 반응기 공간으로 확산이 일어 나며 벽에서 소멸됩니다. 확산은 충돌에 의해 진행하는 현상이므로 확산 중에 전자-이온의 재결합에 의해 플라즈마가 소멸되면서 벽에서 최종 마무리가 된다고 보면 죕니다. 따라서 충돌이 지배하는 현상으로 이는 중성입자와의 충돌을 포함하므로 운전 압력이 영향을 미치게 합니다. 

3. 따라서 생성은 전기장으로 부터 판단하는데, CCP는 Capacitor의 전기장 같이 전극과 전극 마주보는 면에 수직으로 전기장이 만들어지므로, 가속되는 전자들은 이 방향을 따라서 움직이고, 이온도 반대 방향이나 수식 방향으로 움직이게 됩니다. ICP는 인덕터의 의미 그대로 회전방향으로 전기장이 만들어져서 전자가 에너지를 받다가 손실된 확률이 많이 적어, 생성 효율이 좋다고 예상할 수가 있겠습니다.

하지만 밀도가 높다는 의미는 손실을 같이 고려해서 생각해야 한다는 점을 고려하면 장비 구조 등과 충돌률 등이 오히려 큰 요소가 됩니다. 현장에서 가시면 장치 구조 하에 전자 가속 범위를 복합적으로 판단해 보시기 바랍니다. (본 게시판에서 플라즈마 가열/ 플라즈마 확산 등의 주요 단어를 찾아 보시면 도움이 될 것 같습니다.)