Matcher RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [연속공정]
2016.09.23 01:10
안녕하세요. 반도체 회사에서 근무하고있는 직장인입니다.
etch 장비에서 초기 reflect power 안정화를 위해 shunt / series 값을 tuning 하여 어느정도 개선은 하였는데
전환되는 step 에서는 reflect power 를 빠르게 안정시킬 수 있는 방법이 궁굼합니다.
댓글 4
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정소율
2016.10.20 02:24
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삥땅
2017.03.06 15:35
1) 최적화로 인해 어느정도 감소는 하였습니다
2) 아래 parameter 들을 변경 test 를 하기에는 좀 무리가 있습니다.
3) 이뜻이 어떤 의미 인지 알 수 있을까요?
4) RF cable 길이가 제생각에는 짧은 것이 좋을거 같은데 실제로 사용하다보니 긴것이 더 좋은 쪽도 있었습니다.
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정소율
2017.03.14 09:40
3)
일반적으로 플라즈마 발생 시 RFG 입장에서 출력하는 Power를 일정하게 유지하는 방법으로 제어를 합니다.
이 경우 순간적인 임피던스 변화에 의해 매칭이 틀어질 경우,
실제 Load에 전달되는 Power는 Reflect Power로 인해 감소됩니다.
Load에 전달되는 Power가 줄면 플라즈마가 유지되기 어렵고 임피던스는 더욱 변화됩니다.
(결과적으로 다시 매칭이 동작할 때까지 꺼지는 상태가 될 수 있습니다.)
Load Power Regulation 은 Reflected Power 만큼 Forward Power를 증가시키기 때문에
플라즈마 유지에 좀 더 유리할 것으로 판단됩니다.
4)
RF-Cable의 길이 최적화는 참 어려운 문제입니다.
요즘은 이 문제를 해결했다는 RFG도 출시되고 있습니다.
(사용해 보지는 않아서 효과는 확실하지 않으나 설득력은 있습니다.)
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김곤호
2016.11.15 14:07
위의 답변에 전적으로 동의합니다. 연속 공정이라면 큰 문제가 없을 것입니다. 아울러 답변의 각 항의 이유에 대해서는 아래 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. 의 답변 내용을 참고하시기 바랍니다.
지나가다 답변드립니다.
연속공정을 의미하시는 듯 합니다.
1) 매칭 박스의 Motor 및 센서 Parameter를 최적화 합니다
2) Reflect 최소화가 목적이라면 그외 환경 변화 속도를 감소시켜야 합니다.
압력/유량/GAS종류/Power 등의 변화 속도가 완만하게 변화되도록 합니다.
3) Foward Regultagion -> Load Regulation으로 적용합니다.
4) RF-Cable 길이도 영향이 있을 듯...............
각 경우 장단점이 존재합니다.
두개의 공정 환경이 극단적으로 다르면 Reflect 안정화도 쉽지 않습니다.