질문하신 제목과 같이 ICP/CCP는 공정장비에서 플라즈마의 발생에 필요한, 즉 플라즈마 생성과 유지에 필요한 인가 전기장의 특성을 의미합니다. Inductively coupled plasma 는 안테나 전류로 부터 소스 공간에 만들어지는 유도기전력 (전기장)이 전자를 가속시킴을 의미하고, Capacitively coupled plasma 는 전극에 수직 방향의 전기장에 의해 전자가 가속되어 플라즈마를 발생시키는 방법이 적용되었다는 의미라 할 수 있습니다. RIE는 reactive ion etcher 라는 의미로서 식각 공정이 식각 이온에 의해 보다 활성화 시킨 반응로로서 이온의 가속에너지가 크게 걸리는 경우, 즉 쉬스 전위가 Power 전극에 크기 형성되므로 power 전극에 웨이퍼를 놓고 식각을 진행하는 경우 RIE 모드 운전이라고도 하며, 상대전극, 즉 ground 전극에는 쉬스 전위가 작게 걸리므로 이 경우는 Plasma etch, PE 모드라고 현장에서 사용하는 것 같습니다. 당연히 PE 모드에서 화학적 식각의 비율이 크겠습니다.

초미세 공정 관리는 소스 특성, 즉 소스에서 형성되는 전기장 특성에 의한 이온 가속 방향을 잘 고려해야 합니다. ICP/CCP 플라즈마 생성 기전과 관련된 내용과 RIE 모드 등은 본 게시판에서 여러번 설명이 되어 있습니다. 도움이 되었으면 합니다.