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520 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [표면 화학 반응] [2] 6893
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518 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6733
517 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6711
516 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매커니즘 문의.. [플라즈마 leak와 국부방전] [1] 6684
515 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6673
514 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [Chemical reaction과 pressure] [1] 6666
513 플라즈마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [Plasma 이온화] [1] 6626
512 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 6611
511 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6591
510 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [플라즈마 임피던스 및 내부 임피던스 변화] [2] 6574
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