안녕하세요 반도체장비 기업에서 Etch 관련 업무에 종사하는 직장인입니다.

다름이 아니라 입사한지 얼마 안된 신입사원이라 이것 저것 공부를 하고 있는데 궁금증이 몇가지 있습니다.

 

CCP Type 의 경우는 Plasma의 Density는 높지 않지만 강한 힘으로 이온을 당길 수 있어 반도체의 Metal Contact이나 Trench공정에 사용되지 않습니까? 그리고 Plasma의 Sheath 영역이 Reactor의 내벽과 내부 Part들을 경계로 생긴다고 알고 있고, 전극은 Wafer의 하부에서 Bias Power를 가해 이온을 당기는 것으로 알고 있습니다.

 1. Wafer의 Edge에서 Wafer 주변 Ring 같은 구조물이 없다면 Plasma의 Sheath가 Wafer의 Edge에서 Wafer를 둘러싸게 되고 Wafer의 Edge로 이온의 입사가 집중되어 Wafer Edge의 Etch Rate나 Temp가 변하고 Uniformity가 안좋아지는 것으로 알고 있는데 맞나요??

 2. 만약 1번이 맞다면 아래로 당기는 Bias Power의 방향은 아래로만 향하는데 어째서 Sheath영역이 Wafer를 둘러싸기에 Etch에 불균일이 생기는 건가요?

3. 플라즈마의 균일도 향상을 위해서 Focus Ring이라는 부품이 Plasma의 Sheath가 Wafer면 위에 고루 퍼지게, Edge부분과 Center부분의 균일도를 개선하는 역할을 한다고 알고 있습니다. 이는 그렇다면 Sheath 영역이 변하면서 균일도가 좋아지는 것인가요?

4. 플라즈마에서 Radical과 양이온이 Etch에서 주요한 역할을 한다고 알고 있고 CCP에서는 양이온의 Etch가 큰 영역을 차지한다고 알고 있습니다. 헌데 Radical의 경우엔 어떻게 식각을 하나요? Radical은 전기적으로 중성아닌가요? 중성인데 Bias Power로 인한 E Field에 영향을 받고 움직일 수 있는것인가요???

다소 두서없고 앞뒤가 없는 질문입니다만 막 Plasma 공부를 시작한 초심자이니 넓은 아량으로 답변해주시면 정말 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103208
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24699
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61497
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73508
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105923
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [Chemical reaction과 pressure] [1] 6767
532 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1849
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2822
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [Floating sheath] [1] 2401
529 질문있습니다 교수님 [Deposition] [1] 22710
528 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2320
527 KM 모델의 해석에 관한 질문 [Self bias와 ambipolar diffusion] [1] 732
526 remote plasma 데미지 질문 [DC glow discharge와 Breakdown] [1] 14946
525 RF generator 관련 문의드립니다 [Matcher와 line damage] [3] 2385
524 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [ESC와 Chamber impedance] [1] 1965
523 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8297
522 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [DBD] [1] 1446
521 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [PMI] [2] 1473
520 Depostion 진행 중 matcher(shunt, series) 관계 질문 [Matcher와 VI sensor] [3] 4786
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 3052
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 18058
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정] [1] 1407
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [Self bias와 DC offset] [1] 4235
515 간단한 질문 몇개드립니다. [공정 drift와 database] [1] 810
514 matcher에서 load, tune의 역할이 궁금합니다. [Matcher와 impedance] [1] 12632

Boards


XE Login