Others ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage

2017.10.18 14:22

베컴 조회 수:1364

안녕하십니까?


반도체 엔지니어로 근무하고 있습니다.


궁금한것이 있어 질문을 드립니다.


ICP와 CCP에서 동일 파워, 주파수등 플라즈마로 인가되는 전기적 특성과 압력이 동일하다고 가정한다면,


Breakendown vlotage의 크가의 차이가 궁금합니다.


제가 생각하기에는 동일한 공정가스인 아르곤 상황이라면, 결론적으로 ICP의 Breakendown voltage가 더 낮을것으로 생각됩니다.

그 이유는 ICP가 CCP에 비해서 전자와 중성입자간의 충돌 횟수가 더 많이 때문에 더 적은 에너지로 플라즈마를 형성할 수 있다고 생각하기 때문입니다. (물론 초기 전압 즉 파워가 ICP와 CCP모두 아르곤을 이온화 시키기에 임계 에너지가 충분하다고 가정)


추가적으로 기초적인 질문이지만, 제가 학부시절 회로이론을 공부할때 히스테리시스곡선을 배운기억이 있습니다.

E-H Mode의 변경을 파악하는것으로 판단됩니다. 이 곡선이 왜 중요한지와 간단한 개념의 설명 부탁드립니다.


감사합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4905
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16237
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63752
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83531
378 고진공 만드는방법. [1] 787
377 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 351
376 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 556
375 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 807
374 Tribo-Plasma 에 관해서 질문드리고 싶습니다. 396
373 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 573
372 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3862
371 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2451
370 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 2661
369 활성이온 측정 방법 [1] 447
368 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1157
367 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1591
» ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1364
365 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1911
364 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1384
363 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1543
362 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 631
361 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 799
360 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 939
359 DC bias (Self bias) [3] 10010

Boards


XE Login