안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103046
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24695
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61464
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73496
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105882
533 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8288
532 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 8161
531 고온 플라즈마 관련 8160
530 정전척 isolation문의 입니다. [Paschen's law와 절연파괴현상] [1] 8109
529 MFP에 대해서.. [Collisional cross section] [1] 8088
528 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [High Power RFG] [2] 8007
527 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7963
526 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7935
525 ETCH 관련 RF MATCHING중 REF 현상에 대한 질문입니다. [플라즈마 응답 특성] [1] 7556
524 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [표면 화학 반응] [2] 7257
523 저온플라즈마에 관해서 [플라즈마 방전의 특성] [1] 7090
522 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7021
521 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6989
520 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient] [1] file 6982
519 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6951
518 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [플라즈마 임피던스 및 내부 임피던스 변화] [2] 6800
517 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매커니즘 문의.. [플라즈마 leak와 국부방전] [1] 6783
516 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6776
515 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [Chemical reaction과 pressure] [1] 6766
514 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6752

Boards


XE Login