Deposition Pecvd 장비 공정 질문
2018.12.17 22:52
.반도체회사에서 pecvd 담당하고 있는 초보인데요. 궁금한게 몇개 있어 물어보겠습니다.
1. pecvd 증착 후 wafer edge에 많은 defect을 해결하는 방법 (center는 깨끗함, edge에만 defect이 수없이 많음)
2. pecvd deposition 중 reflected power가 팅기는 현상으로 인해 두께가 낮아지거나 높아지는 현상이 있나요? 있다면 해결방법 알려주세요.
3. 한번 공정할때 wafer가 5장이 들어가는데 최대한 두께가 균일하게 증착할 방법이 있을까요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20846 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
519 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1426 |
518 | CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] | 1426 |
517 |
dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!!
[1] ![]() | 1430 |
516 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1448 |
515 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1453 |
514 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1455 |
513 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
![]() | 1457 |
512 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1461 |
511 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1465 |
510 | PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] | 1473 |
509 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1477 |
508 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1478 |
507 | Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] | 1482 |
506 | Ar plasma power/time [1] | 1483 |
505 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1484 |
504 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1488 |
503 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1491 |
502 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1496 |
501 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1502 |
500 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1503 |
자세한 상황을 알 수가 없으나 particle 이슈가 아닐까 합니다. 플라즈마 쪽에서는 dusty plasma라 하여 연구가 되는 분야이며, 이에 대해서는 최근 연구성과를 발표하고 있는 원자력 연구소의 채길병박사님께 문의하시면 좋을 정보를 얻을 수 있을 것 같습니다.
또한 박막 공정에서 벽면에서 발생되는 particle 제어는 장비 마다, 또한 공정 마다 다름으로 매우 제한적이니, 참고하시고 벽면의 세정과 해당 공정에서의 세정에 대한 정보를 수집해 가면서 최적 공정을 찾아 보시면 좋을 것 같습니다.