안녕하세요. 반도체회사 CVD 설비 담당 엔지니어입니다.

CVD설비 관리, 특히 RF계통 FDC 지수관리 관점에서 질문을 드리고자 합니다~


질문1)

chamber의 plasma 정보를 모니터링하고자 chamber와 matcher사이에 V,I,Phase를 검출하는 sensor를 사용중입니다.

보통 Voltage와 Current가 높아서 설비DOWN이 발생하는 경우에 V*I*Cos(Phase)를 계산해보면

하단표와 같이 V와 I는 높지만 Phase에 의해 결국 Delivery Power는 거의 동일합니다

 

 SLOT

 Voltage

 Current

Phase

Cos(Rad(Phase) 

Delivery Power 

 voltage high Down slot

100

  (높아서down) 

10 

  -79.7   

0.178802215 

178.8022151 

 정상 slot

 70

 9

-73.5

 0.284015345

178.9296672

   ( ↑ 임의의 수치들 )

 ≫ 제 생각에는 V,I 값는 높아도 결국 chamber로 전달되는 delivery power가 같다면 RF/CVD 품질에는 이상이 없을것으로

 추측되는데 해당 내용이 맞는건가요?? 아니면 V,I 수치가 달라지면 delivery power가 동일해도 CVD품질에 이상이 있을 수 있나요?


≫ 위와 같이 이런경우에는 V,I가 높지만 Phase는 낮아서 Delivery power는 동일한 값이 되는데,

  이는 voltage와 current가 높아졌지만 일정한 Power를 전달하기 위해 phase(reactance)를 변화하려 series(tune) capacitor가

  동작하는 것인가요??

  (series cap이 Impedance matching을 위해 chambe내 허수 임피던스 성분인 reactance를 제거하고

  이는 V,I간의 phase를 줄이는것과 동치라고 알고있습니다.)  




질문2)

Voltage가 높은값으로 설비 down을 유발하는 slot의 RF관련 타 파라미터를 모니터링 시 대체적으로

ⓛ voltage ↑

② current

③ Phase angle ↓

④ Resistance ↓

⑤ Shunt, Series ↑

이러한 양상을 보이고 있습니다.

RF Rrocess를 진행하면서 해당 현상의 전후관계 및 작용 순서를 알고 싶습니다.


예를들어

1. deposition 진행에 따른 Chamber의 오염발생

2. Chamber內 Resistance 감소 (chamber의 오염과 resistance 감소의 상관관계가 있나요..?)

3. Resistance 감소로 인한 voltage, current 상승

4. Resistance 값을 50Ω으로 맞추기 위해 shunt 상승

5. V,I가 상승했지만 Delivery power를 유지하기 위해 Phase변화 (Series 상승)

 ≫ 위에 적은것은 그냥 제가 추측한 내용이고

  RF를 진행하면서 위에 적은것처럼 RF소자들의 작용과 흐름을 알고 싶습니다..!



바쁘시겠지만 확인 후 답변부탁드립니다.

교수님 좋은 하루 되세요! ^^

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76694
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92219
487 charge effect에 대해 [2] 1463
486 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1477
485 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1490
484 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1502
483 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1502
482 plasma 형성 관계 [1] 1503
481 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1507
480 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1533
479 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1559
478 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1594
477 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1596
476 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1602
475 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1604
474 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1641
473 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1658
472 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1660
471 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1666
470 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1670
469 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1682
468 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1686

Boards


XE Login