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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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269 |
코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다.
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268 |
플라즈마 PIC 질문드립니다.
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267 |
ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할
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266 |
Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다.
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265 |
방전에서의 재질 질문입니다.
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264 |
RF power에 대한 설명 요청드립니다.
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263 |
에쳐장비HF/LF 그라운드 관련
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262 |
O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다.
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261 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
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260 |
ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다.
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259 |
RF Power reflect 관련 문의 드립니다.
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258 |
OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다.
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257 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 2587 |
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255 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
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254 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
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DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
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252 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 2164 |
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251 |
PR wafer seasoning
[1] | 2118 |
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250 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리
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