안녕하세요.


RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.


미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76871
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
497 MFP에 대해서.. [1] 7830
496 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7704
495 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [1] 7658
494 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7644
493 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7261
492 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7109
491 저온 플라즈마에 관해서 [1] 6683
490 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6674
489 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6570
488 플라스마 상태에서도 보일-샤를 법칙이 적용 되나요? [1] 6540
487 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6499
486 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6492
485 저온플라즈마에 대하여 ..질문드립니다 ㅠ [1] 6472
484 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6451
483 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6431
482 플라즈마 기술관련 문의 드립니다 [1] 6419
481 액체 안에서의 Dielectric Barrier Discharge에 관하여 질문드립니다! [1] 6410
480 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6369
479 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6287
» RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6274

Boards


XE Login