안녕하세요 반도체 회사에 근무하고 있는 회사원입니다.

RF Power 를 이용하여 Film을 Deposition 하는 부서에 있는데요,

주요 관리 항목 중에 RF Vpp 항목이 있습니다.

RF Vpp 관련해서 문의드릴게 있습니다.

 

1. Ti Film을 RF Power를 이용하여 Dep하는데, Chamber 내부에 Ti Film이 더 많이 Depo 되면 RF Vpp는 조금씩

    떨어지는데 왜 그런건지 알 수 있을까요?

    업체에서는 Vpp와 Vdc가 반비례 관계여서 Vpp는 떨어지고, Vdc가 올라가게 된다고 하는데

    실상은 Vpp와 Vdc는 모두 떨어지는 Trend를 보이고 있습니다.

 

2. 두 번째로 Chamber의 RF Ground 역할을 하는 Stage Heater를 교체했는데,

    이전보다 RF Vpp Level이 떨어졌습니다. 무슨 연유에서 그런건지 모르겠는데 Ground가 바뀐 것만으로도 Vpp가 떨어질 수 있을까요?

 

설명이 부족하지만 도움 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103351
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24717
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73521
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105953
534 플라즈마 발생 억제 문의 [Induction field와 breakdown] [1] 8298
533 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다.[CCP와 Vdc, Vpp] [1] file 8221
532 고온 플라즈마 관련 8162
531 정전척 isolation문의 입니다. [Paschen's law와 절연파괴현상] [1] 8115
530 MFP에 대해서.. [Collisional cross section] [1] 8091
529 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [High Power RFG] [2] 8021
528 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7966
527 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7940
526 ETCH 관련 RF MATCHING중 REF 현상에 대한 질문입니다. [플라즈마 응답 특성] [1] 7559
525 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [표면 화학 반응] [2] 7270
524 저온플라즈마에 관해서 [플라즈마 방전의 특성] [1] 7094
523 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7033
522 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 7002
521 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [Reaction rate 및 reaction rate coefficient] [1] file 7000
520 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6955
519 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [플라즈마 임피던스 및 내부 임피던스 변화] [2] 6817
518 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매커니즘 문의.. [플라즈마 leak와 국부방전] [1] 6786
517 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6780
516 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [Chemical reaction과 pressure] [1] 6772
515 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6754

Boards


XE Login