안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

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