Ion/Electron Temperature 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련

2016.01.04 17:14

변리왕 조회 수:1702

안녕하세요, 플라즈마에 대해서 공부 중인 학생입니다.

다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각 장치에서 바이어스 전극에 저주파 전력을 인가함으로써, 이온 입사에너지를 증대된다고 배웠는데요. 어떠한 이유로 저주파 전력을 인가시, 이온 입사 에너지가 증대되는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

그리고, 다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각장치에서 전극에 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 밀도에 정상파 효과가 발생한다고 해당 랩의 논문에서 읽었는데요. 어떠한 이유로 정상파 효과가 발생하고, 고주파 전력을 100MHz --> 60MHz로 변경시 정상파 효과가 줄어드는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.

답변을 주시면, 공부하는데 많은 도움이 될 것같습니다.  답변을 부탁드립니다.(- -)(_ _)(- -)

감사합니다. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76872
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20273
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92694
477 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1623
476 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1626
475 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1641
474 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1670
473 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1670
472 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1673
471 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1676
470 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1693
» 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1702
468 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1708
467 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1708
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1751
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1761
464 터보펌프 에러관련 [1] 1770
463 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1773
462 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1809
461 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1820
460 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1850
459 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1859
458 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1865
쓰기
태그

Boards

XE Login