ESC ESC Cooling gas 관련

2019.02.21 19:22

jake88 조회 수:3550

Etch공정에서 ESC Cooling gas로 He을 주로 사용하는데 열전도도가 좋고 불활성가스라는 이유로 많이 사용되는것으로 알고있습니다

비교적 원가가 저렴한 N2가스를 사용하는 경우도 있을까요? 열전도도 반응성이 N2또한 괜찮은것으로 알고있는데 혹시 문제가 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76847
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20254
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68745
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92605
477 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6209
476 자료 요청드립니다. [1] 6209
475 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6082
474 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6034
473 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5935
472 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5926
471 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5894
470 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5825
469 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5682
468 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5564
467 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5469
466 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5313
465 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5175
464 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5084
463 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5036
462 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4835
461 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4509
460 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4333
459 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4291
458 플라즈마 색 관찰 [1] 4285
쓰기
태그

Boards

XE Login