안녕하세요..

저는 반도체회사에 근무하는 직장인입니다

RF Generator와 Impedance 관련 궁금한 것이 있어 자문을 얻고자합니다


현재 CVD 공정에서 일하고 있으며, ICP 설비를 다루고 있는데,

동일한 설비이나 Turbo Pump Model이 달라(RPM이 다름) 동일한 Gas 량을 Chamber에 넣어도 Chamber Pressure에 차이가 납니다

실제 공정진행 시 4.7mT,  6.7mT로 약 2mT 차이가 발생하는데요..

이러한 경우에 챔버의 Impedance에도 차이가 나는지, 또 차이가 난다면 어느정도가 나는지 알고 싶습니다.


또 하나는 RF Generator에 관한 질문인데요..

RF Generator는 2MHz를 사용하며, 3000KW출력을 내는 4개의 P/A Board로 구성되어 있어 최대 12000KW 출력을 낼수 있습니다.

P/A Board간의 Current Ballance가 중요하다고 하는데, 왜 중요한지 알고 싶으며,

현재 P/A Board 의 발열에 의한 Burnning 문제가 있는데, 이 Board 간 Current Ballance가 발열에도 영향을 미치는지 알고 싶습니다.


수식으로 설명이 가능하다면 더 이해가 잘 될 거 같은데.. 답변 부탁드립니다.


 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [272] 76805
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20240
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57185
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68736
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92559
472 자료 요청드립니다. [1] 6208
471 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6197
470 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6075
469 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6020
468 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5933
467 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5921
466 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5879
465 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5819
464 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5681
463 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5554
462 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5465
461 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5302
460 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5166
459 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5075
458 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5004
457 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4829
456 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4503
455 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4331
454 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4284
453 플라즈마 색 관찰 [1] 4275

Boards


XE Login