안녕하세요, 반도체 장비 회사에서 PECVD(TICL4 + H2 를 이용한 TI)설비를 개발하고 있는 엔지닝어입니다. 여기문의하는 것이 맞는 것인지 모르겠지만 일단 여쭤보겠습니다.

 

최근 고객사 측에서 PM 초기 TI 막질의 두께가 낮고 THK range 가 크다는 VOC 가 있어서 개선 방안을 고민하던 중에 precoat recipe 를 변경하는 test 를 진행하고 있습니다.  wafer 위에 depo 하는 recipe 는 그대로 두고 PM 후 CH 내부에 precoat 할 때 사용하는 recipe 만 변경하는 test 입니다.

 

변경 내용은 stage heater 와 showerhead 간 gap 을 변화시키는 것인데요, 기존 13.5mm 에서 11mm 로 gap 을 줄이니 thk range 가 감소하고 avg thk 가 높아지는 결과를 확인했습니다.

 

여기서 질문드립니다. depo recipe 도 아닌 precoat recipe 의 showerhead <-> heater gap 을 줄였는데 왜 막질의 두께와 산포가 바뀌는 것일까요?

rough 하게나마 가설을 세워보면 .....

 

 gap 을 줄임(1)

=> plasma 가 뜨는 공간의 부피가 감소했고(plasma 밀도는 증가?) (2)

=> heater 위에 precoating 되는 TI 막질 변화 (3)

=> wafer 가 depo 될 때 받는 heat 산포가 uniform 한 방향으로 바뀜 (4)

=> wafer 위에 depo 되는 막질의 thk avg, thk range 가 바뀜 (5)

 

이정도인데요, 어떻게 생각하시는지 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103278
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24710
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61516
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73516
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105936
514 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1785
513 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1785
512 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1791
511 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1793
510 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 1808
509 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1817
508 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [RF Power와 reflection] [1] 1822
507 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [Physical sputtering과 cleaning] [1] 1832
506 알고싶습니다 [Seasoning, 플라즈마 공정 및 부품 표면 특성 데이터] [1] 1835
505 데포 중 RF VDC DROP 현상 [부유 전극의 self bias 형성] [1] 1848
504 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1852
503 charge effect에 대해 [Self bias 및 capacitively couple] [2] 1856
502 반도체 관련 플라즈마 실험 [Plasma experiment] [1] 1869
501 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [Pachen's law와 Ar Gas] [1] 1874
500 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [플라즈마 내 전자 축적] [1] 1880
499 Plasma Cleaning 관련 문의 [Remote plasma source] [1] 1880
498 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [웨이퍼 bending] [1] file 1899
497 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도] [1] 1909
496 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [Ar plasma, Ar metastable] [1] 1916
495 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1918

Boards


XE Login