Matcher 매칭시 Shunt와 Series 값

2021.05.17 15:38

피했습니다 조회 수:2013

안녕하세요. 반도체 장비 기업에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 CCP 방식을 쓰는 장비를 운용하기 위해서 매칭을 하는데,

 

매칭을 잘? 혹은 효율적으로 빠르게 하기 위해서 처음에 Shunt, Series 값을 지정해 주고 있습니다.

 

그렇게 하래서 하고는 있는데 이 값들이 매칭에 어떤 영향을 끼치게 되는 것인지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78039
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20848
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
499 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1505
498 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1510
497 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1512
496 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1512
495 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1518
494 알고싶습니다 [1] 1520
493 charge effect에 대해 [2] 1559
492 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] 1566
491 ICP lower power 와 RF bias [1] 1570
490 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 1577
489 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1583
488 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1592
487 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1596
486 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1612
485 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1616
484 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1623
483 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1646
482 plasma 형성 관계 [1] 1646
481 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1661
480 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1668

Boards


XE Login