Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5471

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76858
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20263
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57197
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68749
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92630
477 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1620
476 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1622
475 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1636
474 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1668
473 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1670
472 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1672
471 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1675
470 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1690
469 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1698
468 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1700
467 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1707
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1748
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1757
464 터보펌프 에러관련 [1] 1768
463 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1770
462 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1807
461 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1819
460 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1836
459 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1854
458 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1863
쓰기
태그

Boards

XE Login