Deposition RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다.
2017.08.14 17:40
안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.
최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.
PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....
다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78038 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20848 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93633 |
499 | rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] | 1505 |
498 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1510 |
497 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1511 |
496 | Impedence 위상관련 문의.. [1] | 1512 |
495 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
494 | 알고싶습니다 [1] | 1520 |
493 | charge effect에 대해 [2] | 1559 |
492 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1566 |
491 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1570 |
490 | N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] | 1577 |
489 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1583 |
488 | 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] | 1592 |
487 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1596 |
486 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1611 |
485 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1616 |
484 | IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] | 1623 |
483 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1] ![]() | 1646 |
482 | plasma 형성 관계 [1] | 1646 |
481 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1661 |
480 | Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] | 1668 |
CCP 형의 플라즈마 원에서 주파수가 커지면 heating 효율이 증가하여 플라즈마 밀도와 가열 전자가 많아 지게 됩니다. 따라서 해리와 이온화 모두 증가하므로 공정이 빨라질 수가 있겠습니다. (정량적으로 그 크기 변화는 미약하지만 결과는 많이 차이가 나게 됩니다). 하지만 가열 전자가 많은 것은 박막 성질에 그리 좋지가 았을 수도 있겠고 과다한 해리도 막질에 영향을 미칠 수가 있겠습니다. 따라서 이 경우 오히려 제어 범위가 줄어들 확률이 높아질 수도 있겠습니다.