저희는 PT 처리를 위해 CCP 플라즈마를 사용하고 있습니다.

약 -7승 정도의 진공도의 챔버에서 ITO세정용으로 플라즈마 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 것은 먼저


1. 표시되는 압력의 의미가 궁금합니다. mTorr이 플라즈마 내부로 유입된 기체(질소)가 나타내는 압력을 의미하는 것 맞나요?

그렇다면 챔버 내 압력 = 플라즈마의 압력 이라고 봐도 무방할까요


2. self bias값이 파워(W)가 증가할수록, 압력(mTorr)이 낮아질수록 증가하는데 그 이유를 알고 싶습니다.


3. 나타나는 값중 position이라는 값이 있습니다. 평소에는 position 값이 100을 유지하다가 플라즈마 처리를 위해

기체를 유입하면 그 값이 떨어지고 일정한 값을 유지를 하는데 이 position이 무엇을 뜻하는지 알고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [250] 76379
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19968
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57055
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91226
450 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1836
449 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1846
448 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1849
447 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1851
446 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 1856
445 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1860
444 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1865
443 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1866
442 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1869
441 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1873
440 가입인사드립니다. [1] 1876
439 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1889
438 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1893
437 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1895
436 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1897
435 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1914
434 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1932
433 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1934
432 chamber impedance [1] 1988
431 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2008

Boards


XE Login