안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76713
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68694
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92269
468 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
467 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1703
466 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1728
465 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1734
464 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1747
463 터보펌프 에러관련 [1] 1755
462 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1790
461 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1793
460 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1808
459 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1842
458 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1844
457 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1845
456 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1846
455 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1860
454 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1863
453 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1869
452 가입인사드립니다. [1] 1880
451 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1887
450 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1900
449 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1905

Boards


XE Login