안녕하세요. 교수님


저는 최근 챔버내 Arcing 개선방안에 대해 연구하고 있어서 이 홈페이지에서 Arcing관련 댓글 및 게시글은 전부 읽어보고 이해하려 노력해보았습니다.

그런데도 제가 하려고하는 방향이 옳은지 확신이 들지 않아 질문드립니다.

먼저 source로는 상부의 MW와 하부 ESC쪽 RF를 사용하며 중진공상태에서 공정합니다.

저는 Arcing이 발생되는 원인 중 하나인 전하 축적이 예상되는 파트를 줄이려고 생각했습니다.

챔버내 부품 중 Ground가 되지않은 파트들이 전하축적이 일어날 것이라고 생각해서 이 파트들을 Ground처리를 하거나 파트의 재질을 세라믹 등 절연체로 변경하는 등의 방안을 생각했었습니다.

그런데 Ground가 되어있지 않은 몇몇 부품들의 재질을 알아보니 Al재질이고 50um~80um정도로 Hard Anodizing이 된 부품들이었습니다.

구글링해보니 경질 아노다이징이 되어있는 Al의 절연파괴 전압은 1000V이상으로 이미 거의 절연체에 가까워서 이 몇몇 파트를 Ground처리를 한다고하여 Arcing이 개선될지 의문이 생기게 되었습니다.

그리고 실제 Arcing이 발생된 파트는 Ground와 무관하게도 챔버내 전혀 다른 part 였기도 해서 제가 생각한 방안이 효과가 어느정도로 잇을지.... 교수님의 사견이 궁금해서 질의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76928
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20307
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57225
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68774
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92754
480 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6270
479 자료 요청드립니다. [1] 6211
478 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6102
477 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6056
476 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5939
475 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5934
474 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5930
473 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5839
472 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5695
471 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5586
470 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5486
469 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5391
468 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5193
467 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5132
466 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5109
465 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4851
» 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4543
463 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4369
462 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4321
461 플라즈마 색 관찰 [1] 4318

Boards


XE Login