반도체 업종에서 근무하는 사원 입니다.


PVD Chamber에서 ESC 사용하는데 Center tap bias의 역할과 Center tap bias로 생길 수 있는 문제점에 대해서


궁금하여 질문 드립니다..


아직 초년생이라 장비 manual을 보는데도 애로사항이 많아 문의 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] 73027
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17616
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55516
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86027
386 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5463
385 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5443
384 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5283
383 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5192
382 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5101
381 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5066
380 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4866
379 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4678
378 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4614
377 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4579
376 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4459
375 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 4338
374 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4237
373 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4207
372 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4108
371 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3957
» ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3953
369 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3702
368 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3657
367 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3602

Boards


XE Login