교수님, 안녕하세요.


반도체 회사에서 공정 개발을 하는 연구원입니다.

교수님께 ESC Chuck 의 활용(?) 에 관한 질문을 드리고자 글 남기게 되었습니다.


현재 ICP Coil 을 이용하여 reactant gas 를 radical 로 만들어서 wafer 위에서 반응을 유도하고 있습니다.

하지만, 현재 chamber 조건이 공정상 몇 가지 단점을 갖고 있어 이를 개선하려는 업무를 진행 중 의문이 생겼습니다.

개선을 위한 condition (온도, 압력) 에서는 화학흡착 즉, chemisorpsion 이 되지 않는 결과를 확인하였습니다.

(온도, 압력만 변화. 관련 논문도 확인)


이를 극복하는 방안으로, ESC Chuck 을 사용하여, radical 을 강하게 wafer 로 끌어오면 어떨가 하는데,

가장 큰 고민이, boosted radical 이 wafer 에서 물리적 가속외에 화학적 흡착에도 영향을 줄 수 있다는 근거를 찾기가 어렵습니다.


혹, 교수님께서 관련해서 조언해주실 수 있으시면 업무에 큰 도움이 될 것 같습니다.


감사합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3672
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15355
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63008
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82184
348 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 4819
347 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4786
346 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 4622
» ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4381
344 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4172
343 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3943
342 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 3866
341 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 3856
340 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 3807
339 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3759
338 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3732
337 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3584
336 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3413
335 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3374
334 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3313
333 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 3019
332 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3017
331 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 2938
330 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 2929

Boards


XE Login