안녕하세요 반도체 장비회사에서 인턴으로 일하고있습니다.


pecvd장비를 이용해 ACL(amorphous carbon layer)을 올리는데 박막 stress를 줄여보고자 analog tuner를 chamber side bottom에 달았습니다.


여기서 궁금한 것은 analog tuner가 어떤 원리로 쓰여지는건지 궁금합니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76740
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20211
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68703
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92295
449 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4180
448 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4149
447 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4011
446 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
445 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
444 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3957
443 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3927
442 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3910
441 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3808
440 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3776
439 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3753
438 Descum 관련 문의 사항. [1] 3721
437 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3709
436 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3691
435 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
434 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3621
433 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3557
432 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3536
431 ESC Cooling gas 관련 [1] 3533
430 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3531

Boards


XE Login