Ion/Electron Temperature 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련
2016.01.04 17:14
안녕하세요, 플라즈마에 대해서 공부 중인 학생입니다.
다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각 장치에서 바이어스 전극에 저주파 전력을 인가함으로써, 이온 입사에너지를 증대된다고 배웠는데요. 어떠한 이유로 저주파 전력을 인가시, 이온 입사 에너지가 증대되는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.
그리고, 다중 주파수를 이용한 ccp 타입의 플라즈마 식각장치에서 전극에 고주파 전력을 인가함으로써, 플라즈마 밀도에 정상파 효과가 발생한다고 해당 랩의 논문에서 읽었는데요. 어떠한 이유로 정상파 효과가 발생하고, 고주파 전력을 100MHz --> 60MHz로 변경시 정상파 효과가 줄어드는지 궁금해서 질문을 남기게 되었습니다.
답변을 주시면, 공부하는데 많은 도움이 될 것같습니다. 답변을 부탁드립니다.(- -)(_ _)(- -)
감사합니다.
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공부에 도움이 될 참고서적을 추천하겠습니다.
Pascal Chabert 의 "Physics of Radio-Frequency Plasmas" 입니다. Ch5에 single frequency CCP에 대해서 Ch 6에 Multiple frequency driven CCP를 소개한 내용이 있으니 공부에 참고가 될 것입니다. 아울러 이 그룹이 제대로 공정 플라즈마를 생각하고 있으니, 참고 문헌도 찾아 보면 개념 정립에 도움이 클 것 입니다.