안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [126] 5571
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16853
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64184
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84145
350 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2118
349 RF frequency와 RF power 구분 36434
348 RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 2151
347 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2177
346 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 566
345 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2888
344 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5837
343 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 8036
342 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1620
341 크룩수의 음극선도 플라즈마의 현상인가요? [1] 346
340 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 753
339 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 4368
338 가입인사드립니다. [1] 1805
337 문의 드립니다. [1] 709
336 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 454
335 dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!! [1] file 1213
» O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1188
333 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 832
332 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 4224
331 강의를 들을 수 없는건가요? [2] 1244

Boards


XE Login