안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76696
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
447 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 753
446 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] 804
445 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 851
444 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 965
443 Frequnecy에 따라 플라즈마 영역이 달라질까요? [1] 558
442 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1660
441 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 390
440 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 471
439 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2327
438 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1658
437 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1323
436 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
435 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3435
434 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 663
433 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1187
432 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] 2122
431 산소 플라즈마에 대한 질문입니다... 487
430 수중 속 저온 플라즈마 방전 관련 질문 드립니다 [2] file 589
429 자기 거울에 관하여 1137
428 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 823

Boards


XE Login