안녕하세요,

재료공학과 연구실에서 연구를 하고 있는 대학원생입니다.

항상 좋은 답변 해주셔서 많은 도움을 받고 있습니다.


제가 이번에 Arcing 관련 이슈를 공부하고 있는데,


1. DC plasma에서의 arcing과 RF plasma에서의 arcing사이에 어떤 차이가 있는지 궁금합니다.

그리고,

2. RF plasma에서 발생하는 arcing을 줄일 수 있는 방법에는 어떠한 것들이 있는지도 궁금합니다.


감사합니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76748
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57169
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68707
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92305
450 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1900
449 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1910
448 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1912
447 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1915
446 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1941
445 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1944
444 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1950
443 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1955
442 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1957
441 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1964
440 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1974
439 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1984
438 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1986
437 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1989
436 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2008
435 chamber impedance [1] 2010
434 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2016
433 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2019
432 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2019
431 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2053

Boards


XE Login