PLASMA에 영향이 있는 ICP챔버의 경우에 대한 Parameter 해석관련 질문드립니다.

공식으로 알고 있는 이해보다 왜 그런지 쉬운 설명으로 메카니즘 해석 좀 부탁드리겠습니다.

제가 잘못알고 있거나 일부분만 알고 있는 내용일수 있는데 이점 양해 부탁드립니다.

책을 보았으나 혼동되는 부분이 있어 개념을 잡으려고 합니다..


* RF bias POWER는 전자밀도 와 비례 , ion flux 와 비례하는걸로 알고 있습니다.

1. electron density 와 비례한다면 ,,, ion density는 영향이 없는건가요?

2. 전자밀도가 높으면 쉬쓰 두께는 왜 줄어드나요?  

    충돌확률이 왜 전자밀도와 반비례인가요?  밀도가 높은데 충돌확률이 왜 떨어지는지 잘 모르겠습니다..

3. debye length 인/척력이 이온이나 전자의 가속과 관련이 있는건가요..?   

   입자의 속도는 밀도와 온도에만 관련있다고 알고 있는데 인/척력이 나오니 좀 헤깔리네요;;

4. ICP type에서 RF source power는 bias power 와 ion이나 전자 거동이 어떻게 다른지 궁금합니다.

    사실 제가 RF(source power 상단부) Reflect power 부분이 관심이 많습니다..

-  Bias voltages depend on gas  :  √Te/Kiz(Te) ~ d


  -  ω↑      n      sheath 두께 δsh      플라즈마 size d      전자온도 Te
     
  충돌확률 νm     Diffusion D      more symmetric      Vdc-bias      Vdc-sh


  -  δsh ∝ ω-1   ,    d (plasma width) = characteristic length - sheath width


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5588
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16862
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51344
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64191
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84170
351 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 2797
350 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 2875
349 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2878
348 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2891
347 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 2908
346 ESC Cooling gas 관련 [1] 2925
345 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 2979
344 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3022
343 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3064
342 플라즈마 색 관찰 [1] 3072
341 RPSC 관련 질문입니다. [2] 3080
340 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3083
339 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 3091
338 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3431
337 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3510
336 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3526
335 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3550
334 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 3632
333 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3799
332 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3835

Boards


XE Login