안녕하세요.

DC sputtering과 RF sputtering을 공부하면서 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성에 대해 궁금증이 생겼습니다.

 

기본적인 DC sputtering에서는 음극쪽에 도체를 연결함으로서 처음 양이온을 만들 줄 전자의 존재가 음극 쪽에서 튀어나와 중성원자와 충돌해서 양이온을 만든다는 것은 알고 있습니다.

이 때 이 전자의 출처는 도체 내 자유전자로부터 인가요? 아님 DC전압으로부터의 전자인가요?

 

RF Sputtering에서 부도체를 연결했을 경우 부도체에는 자유전자가 없을텐데 부도체 표면으로 향하는 양이온의 존재는 어떻게 해서 생성이 된건가요?

 

어찌보면 첫 질문의 답이 무엇이냐에 따라 자동적으로 RF스퍼터링의 질문이 해결될 수도 있는 질문 같네요.

 

 답변 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [284] 77287
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20486
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57404
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68936
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92985
469 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4271
468 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4185
467 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4097
466 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4057
465 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4035
464 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 4032
463 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 4028
462 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3993
461 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
460 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3884
459 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3883
» DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3870
457 Descum 관련 문의 사항. [1] 3798
456 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3758
455 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3712
454 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3711
453 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3640
452 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3621
451 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3618
450 ESC Cooling gas 관련 [1] 3596

Boards


XE Login